功率半导体作为关乎国计民生、国家安全的战略性物资，是经济领域发展的重要组成部分，长期以来被西方少数国家垄断。近年来，国家陆续发布《国家信息化发展战略纲要》《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》，将以集成电路先进工艺和绝缘栅双极晶体管（IGBT）为代表的功率半导体自主可控作为发展重点之一。

区熔多晶硅作为IGBT、MOSFET、GTO、IGCT及晶闸管等功率半导体器件不可或缺的基础性原材料，广泛应用于新能源汽车、新能源发电、物联网、工业自动化、5G通讯、轨道交通、特高压输配等国民经济重要领域，市场需求逐年增长。陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司（以下简称天瑞硅材料）依托全球领先的硅烷西门子工艺，生产区熔多晶硅产品，各项技术指标达到国际一流水准，是国内唯一一家具有区熔多晶硅批量生产与稳定供应能力的企业。2019年以来产品陆续通过半导体行业权威检测机构与用户全面严格的阶段测试，已基本具备高端功率半导体器件应用条件。2021年10月，天瑞硅材料区熔多晶硅成功应用于6英寸区熔单晶硅片制造，并在IGBT所需8英寸区熔单晶硅片制造领域一次性拉晶成功，目前，已进入商业化运行模式。

天瑞硅材料区熔多晶硅的市场应用，实现了国产硅材料在高端半导体领域商业化的重大突破，为我国增强关键核心领域自主可控能力奠定了基础。